Atomic structure of interfaces between Mn3O4 precipitates and Ag studied with HRTEM

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Pii: S1359-6454(99)00268-2

ÐHow the core structure of an interface dislocation network depends on both mis®t and bond strength across the interface is investigated. It is shown that, in principle at least, it is possible to assess the bond strength by investigating the atomic structure of the dislocation cores. As examples, the mis®tdislocation structures at Ag/Mn3O4, Cu/MnO interfaces formed by parallel close-packed pla...

متن کامل

Atomic Structure of Faceted 3 CSL Grain Boundary in Silicon: HRTEM and Ab-initio Calculation

{112} 3 CSL grain boundary in silicon was investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and ab-initio calculation. A {112} 3 CSL boundary consisted of two segments which differed in atomic structure. The segment near the connected corner to {111} 3 CSL boundary showed symmetric structure and the other long segment, being distant region from the corner, showed asymmetr...

متن کامل

HRTEM studies of NiNbZr + Ag amorphous-nanocrystalline composites.

Amorphous powder of composition corresponding to Ni60Ti20Zr20 (in at%) was obtained by ball milling in a high-energy mills starting from pure elements. Formation of the amorphous structure was observed already after 20 h of milling, although complete amorphization occurred after 40 h. The microhardness of powders increased from about 30 HV for pure elements to above 400 HV (1290 MPa) after 40 h...

متن کامل

the underlying structure of language proficiency and the proficiency level

هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...

15 صفحه اول

Atomic Structure and Properties of Epitaxial Thin-film Semiconductor Interfaces

Using high-resolution transmission electron microscopy we have studied atomic structure of interfaces between epitaxial thin films of metals, insulators or semiconductors on semiconductors. For epitaxial cobalt and nickel disilicide we find exceptionally uniform interfaces with a significant dependence of the schottky barrier height on interface structure. For epitaxial alkaline-earth fluorides...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Acta Materialia

سال: 1997

ISSN: 1359-6454

DOI: 10.1016/s1359-6454(97)00054-2